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检测知识
三极管元器件筛选机构
三极管元器件筛选机构
环测检测是专业第三方元器件二次筛选机构,实验室具备GJB128A-1997标准CNAS检测资质和检测能力,可提供三极管元器件筛选服务,并可出具权威认可的第三方元器件二次筛选检测报告。
检测依据
GJB 128A-1997 《半导体分立元器件试验方法》
三极管元器件筛选程序
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→功率老炼─→常温测试─→高温反偏(PNP硅管做)─→常温测试─→高温测试(有要求时)─→低温测试(有要求时)─→常温复测─→外观复查─→打印标记。
三极管元器件筛选项目及要求
1. 外观初查目视或用5~10倍放大镜检查下列项目:
a) 管脚不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象;
b) 管帽不应有变形、颈缩、严重掉漆、开裂等现象;
c) 产品型号、出厂日期等标志应清楚、正确。
2. 常温初测在室温下,按产品规范或协议要求进行测试,电参数应符合规定。用图示仪观察输出特性曲线及击穿特性曲线,剔除曲线明显不均匀及有软击穿、分段击穿等异常现象的三极管。
3. 高温贮存高温贮存条件和时间如下表所示:
类别 | 贮存温度℃ | 贮存时间h |
锗管 | 100±3 | 24 |
硅管(金属封装) | 150±3 | |
硅管(其它封装) | 125±3 | |
注:由于封装材料耐温性所限,试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。 |
4. 常温测试筛选试验结束后的常温测试均要求在室温下放置2h后进行。5. 温度循环试验方法按GJB 128A方法1051执行,其中保持时间为30min,转换时间小于1min。温度循环条件如下表所示:
类 别 | 温 度 ℃ | 循环次数 |
锗 管 | -55±3 85±2 | 5 |
硅 管 | -55±3 125±3 | 5 |
注: 试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。 |
6. 功率老炼6.1 中小功率三极管在常温下老炼,老炼时间:24 h。老炼功率一般取(1~1.2)PCM。老炼功率中电流与电压的分配原则如下:电压Vce=K·V(br)ceo,其中K值如下表所示:
V(BR)CEO v | <15 | 15~50 | 50~100 | >100 |
K | 0.75~1 | 0.6~0.75 | 0.45~0.6 | 0.3~0.45 |
电流 Ic=Pcm/Vce6.2 大功率三极管在常温下老炼,老炼时间:12 h。老炼功率一般取(0.7~1)PCM。老炼电流:Ic=(1/2~1/3)ICM。大、中、小功率三极管功率老炼时,应考虑老炼功率的选取不应使管芯温度超过TjM。
7. 高温反偏(PNP硅管做)试验方法按GJB 128A方法1039条件A执行。在125℃±3℃温度下,PNP硅管CB结加V(BR)CBO电压的80%,保持24h。漏电流不超过标准值。
8. 高温测试(有要求时)测试温度100℃或按照器件技术规范或技术协议。测试温度下的保温时间按照5.4执行。合格判据按照产品规范或技术协议执行。
9. 低温测试(有要求时)测试温度-55℃或按照器件技术规范或技术协议。测试温度下的保温时间按照5.4执行。合格判据按照产品规范或技术协议执行。
10. 常温复测同2.。
11. 外观复查目视或用5~10倍放大镜检查下列项目:
a) 管脚不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象;
b) 管帽不应有变形、颈缩、严重掉漆、开裂等现象;
c) 产品型号、出厂日期等标志应清楚、正确。
12. 打印标记凡经筛选合格的三极管均按相关文件规定打印筛选标记。
我们的优势
1. 专家团队可靠性检测专家、定制化服务、专业人员技术培训服务,拥有多名航空、航天电子元器件质量可靠性专组成的专家团队50余人。2. 专业设备配备各种规格的集成电路测试系统,老炼箱50余台、各类环境箱体20台套、机械性能与可靠性检测设备30台套、半导体分立器件测试系统、模拟器件测试系统、检漏系统、PIND颗粒碰撞检测设备等。3. 一站式方案服务依据客户产品规格,准确制定元器件的筛选方案和规程\依据筛选结果,准确定位元器件失效机理,并依据客户需求给出元器件失效分析方案。4. 权威保障军用级检测体系控制+军方实验室认可检测设备,保证测试流程和测试精度,第三方公正检测机构。 <
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