晶体管二次筛选(补充筛选)程序

作者：环测检测发布时间：2023-08-09 16:13:17

电子元器件二次筛选是一种对电子元器件进行全数检验的非破坏性试验，是检验元器件批合格率、质量一致性的重要手段。环测检测认证是具备CNAS和JG资质的专业第三方元器件二筛检测机构，接下来为大家介绍晶体管二次筛选(补充筛选)程序。

晶体管二次筛选(补充筛选)程序

序号	筛选项目	方法GJB128A	筛选条件或测量参数			说明
			Ⅰ	Ⅱ	Ⅲ
1	编序列号 1）
2	电参数测试(室温)双极型放大晶体管双极型开关晶体管场效应晶体管	—	hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、V(BR)CBO 、 I CBOhFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 VCESg m 、 VCS (OFF ) 、 I DSS			测量参数及合格标准按合同、详细规范或产品手册规定
3	温度循环	1051	条件： B；循环 5 次			玻封器件转换时间为不大于5min
4	恒定加速度	2006	Y1 方向、 196000m／ s²；额定功率不小于 10W 的器件98000m／ s²			无空腔的器件不要求LTPD=5；不通过时全检
5	外观及机械检查	2071	用 10 倍放大镜或显微镜			可在筛选开始时增加一次
6	粒子碰撞噪声检测(PIND)	2052	试验条件： A			LTPD=10；不通过时全检
7	高温反偏(HTRB)开关晶体管 PNP晶体管场效应晶体管	1038	反偏温度： 125±2℃反偏电压： 0.75VR			其它晶体管不要求做高温反偏筛选，高温反偏时间为表列时间减去生产方已进行的高温反偏。
			96h	72h	48h
			240h	160h	96h
8	老练前电参数测试 (室温)	同序号 2
9	老练(室温)2)	1038	试验条件： B			老练时间为表列时间减去生产方已进行的老练时间，但不得少于 48h
			240h	160h	96h
10	老练后电参数测试 (室温)	同序号 2，对合同或详细规范要求的参数计算其Δ值计算不合格品率				Ⅰ级 PDA≤5%(或 1 只取大值)；Ⅱ级 PDA≤10%(或 1 只取大值)；Ⅲ级PDA≤15%(或 1 只取大值)。
11	电参数测试(高温)	同序号 2：温度按合同或详细规范规定				LTPD=10；不通过时全检
12	电参数测试(低温)双极型放大晶体管双极型开关晶体管场效应晶体管	温度按合同或详细规范规定，测量参数：hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 V(BR)CBO 、 I CEOhFE 、 I CBOg m 、 I DSS				LTPD=10；不通过时全检
13	密封a.细检漏b.粗检漏	1071	a.试验条件： G 或 Hb.试验条件： A、 C、或 F			无空腔的器件不要求:内腔体积小于 1cm³仅要求做粗检漏
14	外观及机械检查	207l	用 10 倍放大镜或显微镜