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检测知识
场效应晶体管二次筛选机构
场效应晶体管二次筛选机构
元器件二次筛选是为剔除早期失效的元器件而进行的可靠性无损试验,为提高元器件的批可靠性,元器件使用方或其委托单位在承制方筛选的基础上需要进行二次筛选。
环测检测是专业第三方电子元器件二次筛选机构,实验室具备场效应晶体管CNAS检测资质和检测能力,可提供场效应晶体管二次筛选服务。
场效应晶体管二次筛选依据标准
GJB 33A-1997 《半导体分立器件总规范》
GJB 128A-1997 《半导体分立器件试验方法》
GB/T 4586-1994 《半导体器件 第 8 部分 场效应晶体管》
场效应晶体管二次筛选项目
1. 内部目检;
2. 温度循环;
3. 恒定加速度;
4. PIND;
5. 编序列号;
6. 初始电参数测试;
7. 老练;
8. 终点电参数测试;
9. 计算变化量;
10. 计算PD;
11. PDA;
12. 密封试验(细检漏、粗检漏);
13. X射线照相检验;
14. 外观检查。
场效应晶体管电参数测试项目
1. 栅源短路时栅极漏电流Igss
2. 漏极电流Id(on)
3. 漏-源短路漏极电流Idss
4. 漏-源击穿电压Bydss
5. 栅极阈值电压Vgs (th)
6. 正向跨导ggs(Vgs)
7. 静态漏-源通态电阻Rds(on)
电子元器件二次筛选流程
1. 收样、标识、入库、入系统;
2. 目检;
3. 电参数测试:按照产品规格书电性能或电气性能测试;
4. 老练筛选:高温、反偏、功率等;
5. 环境应力测试:振动、冲击、离心加速度、温度循环;
6. 密封性检查:粗细检漏、PIND;
7. 三温电参数测试:按照产品规格书电性能或电气性能测试
6. 打点、封装、出库。
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