分立器件HTRB高温反向偏压试验介绍

作者：环测检测发布时间：2023-06-15 16:03:43

什么是高温反向偏压试验？

高温反向偏压试验（High TemperatureReverseBias）,简称HTRB。是分立器件可靠性最重要的一个试验项目，实验在高温条件下，模拟器件长时间工作状态中的耐受能力，以此可推算出实际应用中器件的寿命和应力大小。在器件量产或使用前按照实际应用场景模拟实验，提前摸清器件应力情况，可完全避免因应力、环境导致的失效及影响，是出厂器件必不可少的一项老化实验。

实验目的

暴露器件跟时间、应力相关的缺陷，衡量当前器件是否满足规定的标准要求，排查出封装或晶圆本身的质量问题。

测试相关标准

可覆盖车规、工规及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相关标准要求。

适应器件种类

可覆盖各种半导体分立器件（二极管、三极管、MOSFET 管（增强型、耗尽型）、达林顿管、可控硅、IGBT）进行高温反偏试验，适用于各种封装。优科实验室具备AEC-Q100/101/102/103/104/200标准检测资质和检测能力，可提供车规级集成电路、分立半导体器件、光电半导体器件、传感器、被动元件等汽车电子元件AEC-Q检测认证服务。我们可依据产品使用条件和质量指标，定义符合汽车电子质量要求的测试计划，助力客户快速进入汽车电子市场。